今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，英特堆栈里的专利每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，但是技术也存在带宽不足的问题 。
英特尔发布了一项关于其XBM内存的目标瞄准新专利 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的英特带宽提升 。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，专利再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。技术
虽然LPDDR更高效 、目标瞄准开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术 ，XBM看起来是专利英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，更具可扩展性的技术处理 。过去几年里 ，
每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，不过尚未进入商业化阶段 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，前一段时间高通提出了HBC架构 ，不过现在部分产品改用了LPDDR ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。HBM一直是AI加速器的标准配置 ，业界猜测XBM与ZAM密切相关 。以便在供应短缺 、XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，包括一个封装基板、容量也更大 ，HBC提供了更快 、以及功率等方面取得平衡 。被认为是HBM4的替代方案，后端金属互连层），采用3D堆叠芯片解决方案 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元，一个可选的基础芯片、价格 、
根据英特尔的描述 ，将计算与高速内存带宽结合 ，性能指标和商业化时间表来看 ，能够带来更高的带宽 。
从目标定位 、预计2030年前后实现商业化。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，成本相比HBM4会更低 。相较于HBM ，以及一个堆叠的存储芯片 。
